| 초록 |
마이크론 크기를 갖는 단분산 고분자 입자는 최근 LCD용 전자부품소재 등 응용분야가 확대되고 있어 많은 관심을 끌고 있다. 이러한 단분산의 고분자 입자를 제조할 수 있는 방법으로는 유화중합, 분산중합, 균질화 현탁중합 등의 방법이 보고되고 있다. 본 연구에서는 단분산의 가교입자를 제조하기 위해 시이드 다단계 유화중합을 이용하였다. 1,2단계 유화중합에서는 유용성 개시제인 2,2'-azobis(isobutyronitrile)을 사용하였고 신규입자 생성을 억제하기 위해 수용성 중합금지제인 ammonium thiocyanate를 적용하였다. DVB를 6시간에 걸쳐서 투입하였고, 75℃에서 12시간 동안 반응시켰다. 우선 무유화제 유화중합으로 0.65μm 크기의 단분산 PS를 제조하고 이를 이용한 1단계 시이드 유화중합으로 PS/DVB=1/1.242 조성의 0.9μm 크기의 입자의 제조 조건을 결정하였고, 이를 이용한 2단계 시이드 유화중합으로 PS/DVB=1/1.54 조성인 1.23μm 크기의 단분산 가교 poly(divinyl benzene)입자의 제조조건을 확립하였다. |
