| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | a-Plane GaN을 이용한 LEO 성장 및 특성 |
| 초록 | 본 연구는 MOCVD 방법으로 r-plane 사파이어 기판상 a-plane GaN 위에 LEO(lateral epitaxial overgrowth)를 통해 성장을 하여 성장 방법 및 구조적 특성을 관찰하였다. 성장방법은 온도,시간,압력 등을 변화하여 lateral 성장에 적합한 성장 방법을 찾았으며, 그 시료를 PL, CL, SEM 등을 통해 특성을 분석하였다. 본 연구를 통해 a-plane GaN의 결함 밀도를 줄여 특성 향상에 도움을 주어 양질의 광소자 및 전자소자 얻을 수 있을 것이다. |
| 저자 | 이철규1, 이재진1, 백호선2 |
| 소속 | 1아주대, 2삼성전기 |
| 키워드 | a-plane; GaN; ELO |
