| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 광추출 효율 개선을 위한 p-GaN roughening 에피 성장 |
| 초록 | 질화물계 LED에 주로 사용되는 GaN는 육방정(Wurtzite) 구조를 갖는 재료로서 사파이어 기판과의 큰 격자 부정합과 열팽창 계수의 차이로 인하여 근본적으로 에피 결함을 완전히 제거하는 것은 불가능하다. 이러한 사파이어 기판은 부도체이면서 열전도도가 낮아서 고출력 LED 제작을 위해서는 적절한 공정과 패키지 기술이 추가로 필요하여 비용이 상승하게 된다. 따라서, 중저가형 고휘도 LED 기술을 개발하기 위한 기술 경쟁이 치열해 지고 있는 실정이다. 일반적으로 비평면층을 형성시켜 광추출 효율을 증가 시키는 방법으로는 팹 공정에 의한 roughening 방법과 에피 성장에 의한 roughening 방법이 있는데, 본 연구에서는 에피 성장 중에 Ga, Mg 및 NH3의 유량의 변화와 기타 성장 조건의 변화를 통하여 고온에서 p-GaN 표면에 bump 형태의의 비평면층을 형성시켜 광추출 효율을 향상시키고자 한다. |
| 저자 | 진정근, 정태훈, 백종협 |
| 소속 | 한국광기술원 |
| 키워드 | p-GaN; roughening; MOCVD |
