| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 제 13회 신소재 심포지엄 - CMP |
| 제목 | New Additive Free High Selective Slurry 기본 연마 특성소개 |
| 초록 | 반도체 공정중 반도체 소자간 분리를 위해 STI(shallow trench isolation) CMP가 도입되었다. STI CMP는 상부의 Gap Fill Oxide를 제거하고 하부의 Nitride Film의 일정량을 제거하여 Active Area와 Field Area를 Isolation 시키는 기술이다. 현재 DRAM/Flash 소자의 제작 공정에서 STI CMP를 위한 슬러리로 Oxide와 Nitride의 선택비가 높은 HSS(high selectivity slurry)가 사용되고 있다. 하지만 기존의 HSS는 높은 선택비를 위해 특정 첨가제가 사용되는데 이로인해 HSS CMP의 적용 분야와 슬러리 특성에 많은 제약을 받게 된다. 본 발표에서는 HSS에 사용되는 연마제의 크기, 구조 등을 조절하여 첨가제를 사용하지 않고 높은 선택비를 갖는 슬러리에 대한 특성을 소개한다. Additive free HSS를 이용한 removal rate, selectivity, defect level 등에 대한 결과를 토대로 CMP Mechanism을 설명한다. |
| 저자 | 최용수 |
| 소속 | 하이닉스 반도체 |
| 키워드 | CMP; STI; slurry; HSS |
