| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | MOCVD법을 이용한 질소 도핑된 ZnO 박막의 성장과 물성 |
| 초록 | 차세대 발광소자 재료로서 ZnO는 p형 도핑 방법이 알려지면서 다시 한번 많은 관심을 받고 있다. 그러나 고효율의 발광소자를 만들기 위해 필수적인 재현성을 가진, 안정적인 p형 ZnO 박막 제작이 완벽하게 성공하지 못한 상황이다. p형 ZnO 관한 연구는 V족 원소인 N, P, As등을 dopant로 이용해 많은 연구 그룹에서 이루어져 왔고 안정적이지는 않지만 p형 ZnO 제작에 관한 많은 보고가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 MOCVD법으로 ZnO 박막을 제조하였다. 산소전구체 NO 가스를 선택하였으며, NO 가스는 산소전구체의 역할 뿐만 아니라 질소의 도핑 효과도 예상되어 p형 전기 전도 특성이 기대된다. ZnO 박막의 성장 시 VI/II 비, 증착온도, 증착 후 열처리 온도 등 체계적인 변화에 따른 미세 구조 및 전기적 특성 변화 거동을 조사하였다. |
| 저자 | 홍용성, 송동언, 박재영, 김상섭 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | ZnO Thin Films; MOCVD |
