| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 23권 2호, p.2027 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Substrate 조건에 따른 MoS2 thin film 특성 변화 |
| 초록 | MoS2는 우수한 전기적, 광학적 성질로 인하여 주목 받고 있다. 최근 wafer scale의 균일한 MoS2 thin film을 얻기 위해 (NH4)2MoS4를 포함한 precursor solution의 열처리를 이용한 공정이 소개되고 있다. 본 연구진은 해당 공정 중 substrate의 종류 및 표면 처리 상태와 합성된 MoS2 thin film의 성질 간의 관계에 대해 보다 자세히 연구하기 위하여 다양한 substrate 조건 및 용매를 이용해서 합성된 MoS2 thin film의 quality 및 특성을 분석하였다. Si 및 Ge wafer를 준비하여 표면상에 oxide layer를 grow하거나 chemical solution에 dipping하는 등의 다양한 방법으로 전처리를 진행하고 유기용매에 (NH4)2MoS4를 녹인 precursor solution을 스핀 코팅하였다. 이후 furnace를 이용하여 2단계로 annealing을 진행하였다. 스핀 코팅 단계에서 precursor solution의 wettability 및 이로부터 형성된 film의 uniformity는 substrate 전처리 방법 및 유기용매의 조합으로 향상시킬 수 있었다. 형성된 MoS2 thin film의 두께는 precursor solution의 농도에 따라 조절 가능하였으며, MoS2의 crystalline quality와 stoichiometry는 고온에서의 2차 annealing으로 향상 시킬 수 있었다. |
| 저자 | 이승효, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
