| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | O2 가스 변화에 따른 IGZO 박막의 특성 (Characteristics of IGZO thin films deposited with different O2 ambient gas ratios) |
| 초록 | 전자재료는 지금까지 주로 Si 기반의 기판에서 구현되며 발전하여 왔다. 그러나 최근 평판 디스플레이 산업 등 새로운 응용분야가 나타나면서 기존의 Si 기판에서 기반의 소자가 감당할 수 없는 응용분야까지 그 범위가 확장되었다. TTFT는 정보 인식, 정보 처리, 정보 표시의 기능을 투명한 전자기기로 구현함으로써 기존 전자기기가 가지고 있는 공간적, 시각적 제약을 해소하는 것이 가능하다. 이러한 부분들은 디스플레이 산업 및 기술이 지향하는 대면적, 저가격, 공정의 단순함을 해결해 줄 수 있기 때문에 최근 TTFT에 관한 연구가 급증하고 있다. GaN, 다이아몬드 등과 같은 TTFT들은 이미 알려져 있지만, 이들은 재료비와 생산비 등 원가가 비싸서 디스플레이 등 비교적 대형 스크린이 필요한 투명 전자 부품에는 사용할 수 없다는 단점이 있는 반면, 산화물 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등등 그 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 제작 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 산화물을 기반으로 하는 TFT 연구가 많이 이루어지고 있다. 본 연구에서는 IGZO target 을 사용하여 O2 가스 양을 조절하며 sputtering 하였고, 증착된 IGZO 박막의 열처리를 통해 이에 따른 특성 변화를 분석하였다. Field emission scanning electron microscope (FESEM)을 통해 IGZO 박막의 표면의 형상과 두께를 확인하였으며, x-ray diffraction (XRD) 분석을 통해 박막의 결정학적 특성을 관찰하였다. TTFT 물질로서 IGZO 박막의 적합성 여부를 확인하기 위하여 TFT를 만든 후 I-V를 측정하였으며, UV-VIS를 이용하여 IGZO 박막의 투과율을 분석하여 TTFT로의 응용 가능성을 확인하였다. |
| 저자 | 김성연, 서현식, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | IGZO; sputtering; O2; transparent thin film transistors (TTFT) |
