| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 자기 배열법을 이용한 ZnO 나노선 air-gap 구조 트랜지스터 개발 (Development of ZnO nanowire air-gap FETs by using magnetic alignment) |
| 초록 | 반도체 나노선구조는 우수한 결정성, 넓은 표면적 및 높은 종횡비 등의 특성을 갖고 있기 때문에 박막소자에 비해 소자 응용시 우수한 특성을 발휘할 수 있는 잠재력을 가진 재료이다. 나노선 소자화를 위해서는 나노선 제어가 필수적이고, electrical alignment, magnetic alignment, microfludic alignment 등의 다양한 방법을 통한 나노선 제어기술이 보고되고 있다. 그러나 정확한 위치제어의 어려움 및 복잡한 공정 등의 이유로 실제 소자 응용에는 한계가 있다. 본 실험에서는 반도체 나노선 제어를 위한 자기 배열법을 개발하고, 이를 air-gap 구조 형성에 응용하였다. air는 유전율은 1로써 낮지만 밴드갭 에너지가 무한대이므로 유전막에서 발생하는 누설전류가 발생하지 않기 때문에 off 전류를 줄일 수 있는 효과를 기대할 수 있다. 따라서 본 실험에서는 gate/air/nanowire 구조의 트랜지스터를 제작하였고, 이에 대한 전기적 특성을 확인하였다. Scanning electron microscopy (SEM)을 이용하여 air-gap 구조와 나노선의 배열 상태를 확인하였다. 합성된 소자는 I-V 측정을 통해 output curve와 transfer curve를 확인하고, 특성 평가를 진행하였다. |
| 저자 | 이상원, 함문호, Jyoti Prakash Kar, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | ZnO 나노선; 자기 배열법; air-gap |
