| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Study on origin of point defect for CuGaSe2 thin film by hot wall epitaxy |
| 초록 | HWE 방법을 이용하여 반절연성 GaAs(100)기판 위에 CuGaSe2 단결정 박막을 성장시켰으며, 결정성은 photoluminescence(PL)의 exciton emission 스펙트럼과 이중 결정 X선 회절 곡선(double crystal X-ray diffraction rocking curve, DCXD)의 반폭치(FWHM)를 측정하여 알아보았다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도(carrier density)와 이동도(mobility)의 온도 의존성을 연구하였다.성장된 CuGaSe2 단결정 박막을 Cu, Ga 및 Se 증기 분위기에서 각각 열처리한후 광 발광 스펙트럼을 측정하고 분석하여 이러한 열처리 결과가 중성 주개에 구속된 exciton(D0,X)과 중성 받개에 구속된 exciton(A0,X)에 의한 복사 발광 봉우리 I2와 I1 및 SA emission에 의한 PL 봉우리에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였다. |
| 저자 | 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | CuGaSe2 단결정 박막; photoluminescence; exciton emission; origin defect |
