| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Electrochemical etching을 이용한 bumping mask 제작 |
| 초록 | Bumping mask는 반도체 패키징 공정에서 기판과 칩을 전기적으로 연결하는 solder bump 형성 공정에 사용된다. Bumping mask를 제작하는 방법에는 laser를 이용한 laser machining과 electroforming 그리고 electrochemical machining이 있으며, 이러한 공정들 중, electrochemical machining 공정은 높은 양산성과 laser machining에서 발생할 수 있는 열로 인한 burr와 heat-affected zone의 발생이 없다는 장점을 가지고 있다. 최근에는 웨이퍼 크기 및 칩의 밀도 증가와 같은 반도체 직접 회로 기술의 발전에 따라 높은 pattern density를 갖는 대면적 bumping mask가 요구되고 있는 추세이다. 본 연구에서는 electrochemical micromachining (EMM)의 한 종류인 through mask electrochemical micro machining (TMEMM) 공정을 이용하여 bumping mask를 제작하고자 하였다. Laser direct imaging system(Paragon, Orbotech, Israel)을 이용한 dry film resist(DFR) patterning 공정을 통해 stainless steel sheet(SS304; Fe 70 wt.%, Cr 19 wt.%, Ni 9 wt.%)에 DFR(H-W440, Hitachi, Japan) pattern을 형성하였다. TMEMM 공정에서 electrolyte로는 H3PO4가 사용되었고, 인가전류, 온도, rpm, 시간, cathode 노출면적을 변수로 hole가공실험을 진행하였으며, 이러한 변수들이 uniformity와 material removal rate에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 공정 결과는 optical microscope (L-150A, Nikon, Japan)와 FE-SEM (MIRA3, TESCAN, Czech)를 사용하여 분석하였다 |
| 저자 | 안재빈, 류헌열, 박진구 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | electrochemical etching; bumping mask; TMEMM |
