| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 | UVO-ozone 처리에 따른 IGZO TFT의 안정성 연구 (Investigation of IGZO TFT stability for UVO-ozone treatment) |
| 초록 | 산화물 기반의 TFT (Thin Film Transistor) 는 기존의 비정질 실리콘에 비해, 상온 및 저온에서 대면적 및 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물들 중 a-IGZO 물질의 경우 결정학적으로 비정질이지만 비정질 실리콘과 달리 s 오비탈의 중첩으로 인해 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 최근 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. 그러나 이러한 장점에도 불구하고 bias stress로 인해 발생하는 구동전압 변화는 여전히 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 UVO-ozone 처리를 통한 IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 산화물 반도체의 안정성 향상에 대한 연구를 진행하였다. UVO-ozone 처리에 따른 소자 특성 및 bias stress 로 인한 안정성 평가는 HP 4145B 및 B1500A 를 통해 측정하여 분석하였고, UVO-ozone 처리에 따른 IGZO 채널의 조성 및 Oxygen defect state는 XPS를 통하여 비교 및 분석하여 전기적 특성과의 상관관계를 도출하였다. |
| 저자 | 이민정, 박지현, 이수정, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | IGZO TFT; Amorphous semiconductor; Thin Film Transistor |
