| 초록 |
산화물 기반의 TFT는 유리, 금속, 플라스틱 등 기판 종류에 상관없이 균일한 제작이 가능하며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루어지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물 중가장 많은 연구가 이루어진 ZnO 기반의 TFT는mobility와 switching 속도에서 우수한 특성을 보이나, 트렌지스터의 안정성이 떨어지는 것으로 보고 되고 있다. 그러나 IGZO 물질의 경우 결정학적으로 비정질이며, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하고, 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 최근 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. IGZO TFT 소자의 경우 Ag, Au, In, Pt, Ti, ITO (Indium tin oxide) 등 다양한 전극 물질이 사용되고 있는데, 이들 중 active channel과 Ohmic contact을 이루는 ITO박막의 경우 주로 평판 디스플레이에 공통적으로 사용되고 있다. 본 연구에서는 Ohmic 전극재료인 ITO 를 이용하여TFT 소자 제작 및 특성에 대한 평가를 진행했으며, 열처리에 따른 전극과 IGZO 계면 사이의 미세구조와 전기적인 특성간의 상관관계를 연구하기 위하여 IGZO TFT박막의 표면과 두께는 SEM (Scanning electron microscope) 분석을 통해 확인하였고, XRD (x-ray diffraction) 분석을 통해 결정학적 특성을 관찰하였다. 또한 UV-VIS를 이용하여 박막의 투과율을 분석하여 transparent thin film transistor 의 가능성을 평가하였다. |
