| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2022년 봄 (05/11 ~ 05/13, 제주국제컨벤션센터(ICC JEJU)) |
| 권호 | 26권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-에너지저장·변환 |
| 제목 | 합성HfO2가 도핑된 SnO2 이중 층 전자수송층을 사용하는 고성능 페로브스카이트 광 검출기 |
| 초록 | 페로브스카이트 광 검출기의 전자수송층으로 흔히 사용되는 SnO2는 낮은 케리어 차단 특성으로 누설전류를 발생시키며 이로 인해 광 검출기의 온/오프 비율을 감소시키는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는, 페로브스카이트 광 검출기의 전자수송층으로 사용되고 있는 SnO2 단일 층 대신 이중 층 전자수송층(SnO2nanoparticle/SnCl2 precursor)을 사용하여 누설전류를 효과적으로 감소시켰다. 또한 SnCl2 전구용액에 HfO2의 첨가 및 페로브스카이트 층 위에 poly(methylmethacrylate) (PMMA)의 도입을 통하여 금속전극과 투명전극 사이의 단락감소 및 PMMA박막의 효율적인 터널링 효과로 인한 광전류 증가를 관찰하였다. 그 결과, 페로브스카이트 광 검출기의 온/오프 비율은 -1.0V의 역 바이어스 하에서 6.3 x 104의 높은 수치를 기록하였다. |
| 저자 | 김두환, 이지영, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | Perovskite; Photodetector; Electron Transport Layer |
