| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
비정질 Ge-As-Se 칼코지나이드 박막의 휘발적 스위칭 특성에 관한 연구 |
| 초록 |
3차원 cross bar 구조 메모리 구현에 필수적인 셀 선택용 스위치로서 비정질 칼코지나이드 박막이 나타내는 ovonic threshold switching (OTS) 현상을 활용하려는 연구가 많은 관심을 끌고 있다. OTS 소자가 셀 선택용 스위치로 적용되기 위해서는 휘발적인 on/off 스위칭 동작이 가능하도록 칼코지나이드 재료의 비정질 구조상태가 유지되는 가운데 높은 off-상태 저항, on/off 전류비가 발현되어야 하고 그 외에도 스위칭 동작전압 및 스위칭 시간이 짧은 특성등이 추가적으로 요구된다. 대표적인 메모리 스위칭 재료인 GeTe에서 Te을 Se으로 치환한 GeSe조성은 기초적인 OTS 소자 특성을 보임에도 불구하고 비교적 낮은 결정화 온도로 인해 내구성 측면에서 취약성을 보이고 있다. 본 연구에서는 이원계 GeSe 재료에서 Se을 As으로 일부 대체하여 재료내 공유결합 원자들의 평균배위수를 증가시킴으로서 비정질 구조를 보다 안정화 시키려 하였다. 본 발표에서는 Ge-As-Se 박막의 As/Se 비 변화에 따라 나타나는 휘발적 스위칭 특성들, 즉 off-상태 저항, on/off 전류비, on-상태 전류밀도, 스위칭 동작 전압, 스위칭 타임 및 내구성 (endurance) 변화에 대한 조사 및 분석결과에 대해 논의하고자 한다. |
| 저자 |
안명기1, 김수동2, 안형우3, 정두석4, 이수연4, 정병기4
|
| 소속 |
1과학기술연합대, 2한양대, 3고려대, 4한국과학기술(연) |
| 키워드 |
chalcogenide; TFT; 스위칭소자
|
| E-Mail |
|
