| 초록 |
최근 전자부품의 소형화 추세에 따라 알루미늄 전해콘덴서 분야에서도 대용량, 고주파수화에 대한 요구가 절실해졌다. 기존의 알루미늄 전해콘덴서의 경우 알루미늄 전극을 전기화학 에칭을 통해 유효표면적을 크게 해왔으나 기계적 강도면에서 한계를 가져왔다. 정전용량을 증가시키기 위한 다른 방법으로 유전상수가 높은 물질의 사용 및 유전체의 두께 감소가 있는데 유전체의 두께를 줄이는 것은 사용 전압과 상관관계가 있으므로 그 한계가 있고 기존의 Al2O3에 비해 유전특성이 뛰어난 산화물을 제조하여 정전용량을 증대시킬 수 밖에 없다. 유전상수가 높은 금속 산화물중에 Nb2O5는 우수한 화학적 안정성, 높은 내전압, 적은 누설전류로 인해 많이 연구되어오고 있는 유전체 중에 하나이다. 본 연구에서는 음극전기도금에 의해 알루미늄상에 Nb2O5의 박막을 형성시킬 수 있었다. 음극전기도금은 복잡한 표면을 가지고 있는 알루미늄상에도 균일하게 Nb2O5 박막을 형성시킬 수 있었으며 Nb2O5의 두께는 200nm 정도로 알루미늄 융점 이하인 600 oC, 1시간동안 열처리하여 결정화 시켰다. 산화피막의 결정구조 및 결정성을 조사하기 위해 XRD, XPS로 확인하였으며 미세구조 관찰을 위해 FE-SEM 분석을 하였고 전기적 특성을 확인하기 위해 붕산 암모늄 수용액에서 정전용량, 누설 전류를 측정하였다. |
