| 초록 |
정전기적 인력을 이용한 고분자 전해질의 적층 방법은 간단하면서도 여러가지 다양한 응용 가능성 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 고분자 기판에서의 자체조립에 의한 다층막의 연구는 별로 진행되지 않고 있으며, 특히 유리 기판과는 달리 열처리를 할 수 없기 때문에 외부환경에 안정한 다층막의 형성은 여러가지 응용성 측면에서 중요하다. 본 연구에서는 고분자 전해질로 사용되는 poly(acrylic acid)와 poly(allyl amine)에 ally iodide를 이용하여 이중 결합을 도입하였으며, 광가교나, 열가교를 이용하여 그 안정성을 증대시키고자 하였다. 도입한 이중 결합은 약 1-5%로 하였다. PMMA를 고분자 기판으로 사용하여, 원하는 만큼의 고분자 전해질을 적층할 수 있었으며, 광가교 반응의 진행은 고분자 기판 대신 수정기판을 사용하여 조사에 따른 반응속도를 추적하였다. 광 가교 또는 열 가교에 의해 형성된 적층막이 외부 환경에 안정하게 됨을 확인할 수 있었다. 광 처리되지 않은 부분은 pH1.0용액에 의해 적층막을 씻어 낼 수 있어 광가교 방법에 의해 필요한 패턴을 만들 수 있었다. |
