| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 기상유도결정화와 후속 Pulsed RTA를 이용한 다결정 실리콘 박막의 제조 |
| 초록 | 다결정 Si 박막은 박막 트랜지스터 및 Si 태양전지와 같은 다양한 전자 소자에 응용되고 있으며 주로 비정질 Si 박막을 재결정화하여 제조되고 있다. 이러한 재결정화 방법들 중, 비정질 Si 박막을 금속원소와 접촉시킨 상태에서 열처리함으로써 결정화 온도를 낮추고 열처리 시간을 줄이는 금속유도결정화 방법에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 종래의 금속유도 결정화 방법으로 제조된 다결정 Si 박막의 표면에는 상당량의 금속 불순물이 잔류하게 되는 문제가 있다. 본 실험에서는 다결정 Si 박막의 결정립 크기를 증가시키고 잔류 금속량을 줄이기 위해, AlCl3 기상유도결정화를 이용한 핵생성 단계와 pulsed RTA를 이용한 결정립의 성장 단계를 결합한 2단계 결정화 방법을 제안하였다. 본 연구 방법에 의해 제조된 다결정 Si 박막은 (111) 방위의 우선 배향성을 가지며, 약 61 ㎛의 큰 결정립 크기와 우수한 표면 거칠기를 나타내는 것을 확인하였다. 또한, 2단계 결정화 방법으로 제조된 다결정 Si 박막 내에 잔류된 알루미늄의 양 및 박막의 전기적 특성을 분석하였다. |
| 저자 | 강승모, 이승렬, 안경민, 안병태 |
| 소속 | 한국과학기술원 신소재공학과 |
| 키워드 | vapor induced crystallization; pulsed rapid thermal annealing |
