| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 | 15권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | OLED 양극용 TiON/meral/TiON 박막 개발 |
| 초록 | 본 연구에서는 질소와 아르곤 혼합가스 분위기 내에서 질화티타늄(TiN) 타겟을 반응성 스퍼터링 시켜 두께 100nm의 질산화티타늄(TiON)을 형성하였다. 일정한 압력조건에서 증착한 상부 TiON과 하부 TiON 사이에 두께와 위치를 달리한 내부 금속층을 증착하였고, 증착 후 공정을 배제한 상태로 박막의 결정화와 전기․광학적 특성에 미치는 영향을 확인하였다. 기초실험을 통해 공정변수 중 N2/(Ar+N2)의 유량과 타겟인가 RF 전력을 각각 15%와 210W로 일정하게 유지하였고 내부 금속층의 두께를 5 ~ 20nm로 변화시키면서 TiON 박막의 전기․광학적 특성을 분석하였다. 한편, 하부 TiON의 두께를 50nm, 70nm, 90nm로 변화시키고, 내부 Au층을 두께 5nm로 일정하게 증착하여 총 두께 100nm의 TiON 박막을 증착하였다. XRD 분석을 통하여 내부 Au층의 유무와 위치변화에 관계없이 TiON은 비정질로 관찰되었다. 내부 Au층 위치변화에 따른 표면 일함수는 Au층이 표면에 가까워질수록 증가하는 경향을 나타내었으며, TiON 5nm/Au 5nm/TiON 90nm 박막에 4.81eV로 측정되었다. 한편 ICP (Inductively Coupled Plasma)와 기판전압인가를 통한 이온빔효과는 TiON 표면 일함수를 감소시켰다. |
| 저자 | 신창호, 채주현, 정철우, 양종우, 김대일 |
| 소속 | 울산대 |
| 키워드 | OLED; TiON/Metal/TiON; 반응성 스퍼터링 |
