| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 23권 2호, p.2023 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 습식 공정 중 InAs 반도체의 표면 반응 연구 |
| 초록 | 실리콘 기반 CMOS는 재료의 우수한 전기적 특성 및 경제성을 이점으로 다양한 연구가 진행되었다. 그러나 소자의 소형화 및 집적화에 따른 쇼트 채널 효과와 누설 전류의 증가가 문제로 대두되었다. 이를 해결하기 위하여 III-V족 화합물 반도체를 채널 물질로 도입하려는 연구 등이 활발히 진행되고 있다. III-V족 화합물 반도체는 실리콘 대비 높은 전자 이동도를 가지기 때문에 저전력, 고속 디바이스의 제작이 가능하다. 그중에서도 InAs는 약 40000 cm2/Vs의 높은 전자 이동도를 가진다. 그러나 InAs반도체의 세정에 관한 연구는 식각 속도 관점에 국한되어 있어 습식 세정 및 표면 반응에 대한 연구가 필수적이다. 본 연구에서는 InAs 표면 산화 거동을 규명하기 위하여 다양한 산 염기 용액 및 다양한 pH 조건의 용액을 이용하여 InAs의 표면 특성을 분석하였다. 용액 처리 후 InAs의 표면 산화 상태는 XPS를 통하여 분석하였으며 산화막의 두께는 ellipsometer를 통해 관찰하였다. 식각 속도는 microbalance로 측정된 무게를 통하여 계산되었고, 표면 거칠기는 AFM으로 측정하였다. 산성 용액에 H2O2를 첨가시 InAs 표면 산화가 크게 증가 하었으며 식각 속도도 증가함을 확인하였다. 또한 습식 처리 시InAs의 표면은 산화되지만 용액의 pH가 3 보다 낮은 조건에서는 표면 산화가 억제되었다. 본 발표에서는 이러한 InAs의 표면 반응 특성을 열역학 및 전기화학적으로 해석한다. |
| 저자 | 나지훈, 이진훈, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
