| 초록 |
LED는 에너지 변환 효율이 높아 전기에너지 절감에 유리하여 조명을 필요로 하는 가전기기, 자동차, 건축, 의료기기 등 산업전반에 걸쳐 응용되는 산업이다. 이러한, GaN계 Blue 및 Green LED는 BLU, full color display 및 차세대 조명 산업에서 새로운 고부가가치 산업을 창출할 수 있는 제품이기도 하다. 일반적으로 사파이어(sapphire)기판을 이용한 GaN계 LED의 경우, LED의 활성층인 InGaN층 형성시 In 조성의 균일성을 높여야 하나, 요구되는 In 조성으로 균일하게 형성되지 않아 발광 파장이 이동하는 한계가 있고, 또한 주입되는 전류에 따른 파장 변화가 발생하기도 한다. 이렇듯 이종 기판인 사파이어 기판을 이용한 LED 성능의 개선에는 다소 한계가 있으므로 이를 극복하기 위한 연구가 필요하다. 따라서, 고휘도 LED를 위해 양자효율을 향상시키기 위하여 동종 기판인 GaN 기판을 이용하면 고효율 LED의 접근이 가능해지고, 아울러 신뢰성 특성이 뛰어난 제품의 개발에도 장점이 있다. 그리고, GaN 기판을 이용 시 우수한 열특성 및 광추출 효율 달성 가능성으로 인하여 향상된 성능을 기대할 수 있다. 본 연구를 통해 동종 기판을 이용하여 성장된 GaN층의 물성을 살펴보고, 이를 기반으로 향후 LED 품질의 향상을 기대해 본다. |
