| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | GaN LED 소자를 위해 PSS상에 성장된 AlN Buffer Layer의 특성에 관한 연구 |
| 초록 | AlN는 Wurtzite 결정구조와 압전특성을 가지는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로서 매우 높은 열전도도와 큰 전기저항 등을 가지기 때문에 자외선용 광학재료, 반도체소자의 절연층 등으로의 응용이 되고 있다. 특히 AlN는 LED 분야에서 상부 GaN 성장시에 Sapphire 기판과의 격자 상수 차이를 줄여줌으로써 스트레스를 완화시켜 고품질의 GaN 성장을 가능하게 해주는 Buffer Layer로써 사용되고 있다. 본 연구에서는 RF 반응성 스퍼터링을 이용하여 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 위에 다양한 조건으로 AlN을 성장시켰다. Target은 Al을 사용하였으며, 가스는 Ar와 N2를 이용하였다. 이러한 조건 아래에서 RF Power와 온도, 가스 분율을 변화시키며 실험을 진행하였다. 성장된 AlN의 형상 변화는 SEM을 이용하여 관찰하였으며, 결정성은 XRD를 이용하여 확인하였다. 다음으로 AlN 박막 위에 MOCVD를 이용, GaN을 성장시킨 후 HR-XRD를 이용, GaN의 (002), (102)면을 확인해 봄으로써 GaN 성장에 있어서 가장 유리한 AlN Buffer Layer의 조건을 확인하였다. |
| 저자 | 강병훈, 이창민, 김대식, 이제행, 조성찬, 이도한, 변동진 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | AlN; PSS; GaN; Sputter; LED; Buffer Layer; Thin Film |
