| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.996 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Ru-capped EUV photomask 세정에 대한 DIO3 및 UVO3 비교 |
| 초록 | EUV 포토 마스크의 흡수층이 dry etching에 의해 patterning된 후, Ru 층으로 덮인 photomask의 표면은 염소로 종단된다. 또한, Ru-Cl3 같은 표면 종단은 반사층을 덮고 있는 EUV photomask capping layer의 표면을 거칠기를 증가시킨다. 따라서 Ru-Cl3를 제거하고 표면 거칠기를 줄일 수 있는 적절한 세정 공정이 개발되어야 한다. 본 연구에서는 Cl2-etched Ru 표면 세정에서 UVO3 및 DIO3를 사용한 공정을 비교해 본다. Ru 표면에 대한 세정 공정의 영향을 조사하기 위해, Ru 층을 갖는 Si/Mo multilayer로 구성된 EUVL photomask가 사용되었다. EUVL photomask는 흡수층을 제거하기 위해 Cl2/He에서 식각한 뒤, 실온에서 0.5 ppm의 DIO3 또는 UVO3로 10 분과 60 분 동안 처리하였다. 실험 후 Ru 표면의 화학적 상태와 표면 거칠기를 XPS와 AFM을 이용하여 측정하였다. Ru 층으로 덮인 EUVL photomask가 Cl2-dry etching 되었을 때, XPS 측정을 통하여 Ru 3d 상태에서 Cl 2p 스펙트럼이 확인되었고 Ru 표면이 Ru-Cl3로 종단된 것이 관찰되었다. Dry etching 공정 동안 표면 거칠기는 증가하였다. UVO3 처리는 공정 시간이 증가함에 따라 Ru의 표면 거칠기를 증가시켰지만 Ru 표면에서 소량의 Ru-Cl3가 제거되었다. 반면에 DIO3 공정은 Cl-종단을 효과적으로 제거하였고 표면 거칠기도 줄어들었다. |
| 저자 | 손창진, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
