| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 침전법을 이용한 HgI2 X-ray Detector 제조 및 특성 평가 |
| 초록 | 건강에 대한 관심의 증가로 인하여 의료 장비에 대한 수요가 크게 증가하고 있는 가운데 X-ray Detector에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다. HgI2는 기존에 사용되던 Photoconductor 물질인 a-Se에 비하여 원자 번호가 높고, Hole-Electron Pair를 만들기 위한 에너지가 낮아 최근 활발한 연구가 진행되고 있는 물질이다. 이러한 HgI2를 제작하는 방법에는 TE(Thermal Evaporation)을 이용한 방법과 SP(Screen Printing)방식이 있으며, 일반적으로 사용되는 TE를 이용하여 제작된 HgI2는 X-ray에 대한 Sensitivity가 높지만 제작비용이 많이 드는 문제점을 안고 있고, SP를 이용하여 제작된 HgI2는 상대적으로 낮은 제작비용과 그 공정이 간단하지만 대면적의 두꺼운 시편을 제작할 때 printing 과정에서 생성되는 산화막으로 인해 X-ray에 대한 특성이 현저히 떨어진다는 문제점이 있다. 이에 본 논문에서는 낮은 제작비용과 간단한 제조 공정이 가능함과 동시에 층 사이의 산화막을 생성시키지 않는 Precipitation Method(침전법)를 이용하여 제작된 대면적 HgI2시편에 대한 특성을 분석하고자 한다. XRD(X-Ray Diffraction)와 SEM(Scanning Electron Microscopy)을 통하여 HgI2의 물리적 특성을 평가하고, I-V 측정을 통하여 그 전기적 특성을 SP 방식으로 제작된 시편과 비교․평가하였다. 분석결과 SP 방식으로 제작된 시편에 비하여 그 결정 구조가 비교적 균일하였고, 높은 X-ray Sensitivity를 보였다. 이러한 결과는 Digital X-ray Sensor에 있어 침전법을 이용한 HgI2 검출기를 개발하는데 기초 자료가 될 것으로 사료된다. |
| 저자 | 손대웅, 박지군, 신정욱, 김경진, 김재형, 남상희 |
| 소속 | 인제대 |
| 키워드 | HgI2; X-ray Detector; Precipitation Method |
