| 초록 |
Source/drain (or, LDD)를 형성하는 기술은 poly-Si TFT 소자에서 누설 전류와 소자의 신뢰성에 영향을 미치는 중요한 공정이다. 특히 도펀트 활성화 열처리는 주입된 이온의 전기적인 활성화와 이온 주입으로 인해 생성된 결함의 치유를 모두 만족해야 한다. ELA 방법으로 결정화된 500Å의 PECVD poly-Si 기판에 PH3/H2 또는 B2H6/H2 를 source gas로 사용하여 이온 샤워 도핑법으로 이온 주입한 시편을 질소 분위기의 관상로에서 활성화 열처리를 수행하였다. 이온 주입 조건에 따르는 결정화도의 변화를 UV-tranmittance Spectroscopy 및 Raman Spectroscopy를 각각 사용하여 분석하였고, 이 값들은 TRIM-code 전산 모사 결과와 비교하였다. 열처리 조건에 따르는 면 저항, 도펀트 활성화 효율 및 Hall 이동도를 구하기 위하여 4-point-probe 및 Hall 분석을 수행하였다. 또한 열처리 조건에 따르는 결함의 회복 거동을 UV-tranmittance Spectroscopy, Raman Spectroscopy, Hall 분석 그리고 TEM 분석을 통하여 비교 분석 하였다. 비질량 분리법 이온 샤워 도핑 된 다결정 실리콘에서 저온 열처리에 의한 도펀트 활성화 및 결함 회복에 미치는 수소 원자의 영향 및 P 및 B 도핑 된 시편에서의 열처리 거동에 관하여 연구를 수행하였다. |
