| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5139 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | SiC 분말상의 무전해 니켈 도금에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구는 SiC 분말상에 무전해 니켈 도금을 수행하였다. SiC는 경도가 높고, 화학적으로나 열적으로 매우 안정하여 기존의 방법으로는 에칭이 어렵기 때문에 마이크로파를 사용하여 실험을 수행하였다. 또한, 도금시간과 온도 및 도금액의 조성의 변화에 따른 도금층의 변화에 대하여 고찰하였다. 무전해 니켈도금의 표면형태구조와 도금층의 성분은 SEM-EDX를 사용하였다. 니켈도금는 에칭시간이 증가할수록, 도금시간과 온도가 증가할수록 우수한 도금층을 얻을 수 있었다. ICP-AAS 분석 결과 최종조성이 2.42∼3.01wt%의 인(P)과 18.6∼21.0wt%의 니켈 도금층을 형성하였다. |
| 저자 | 강 민1, 김진원2, 김영길, 이재의 |
| 소속 | 1아주대, 2오산대 |
| 키워드 | SiC; Etching; Electroless Nickel Plating. |
| 원문파일 | 초록 보기 |
