| 번호 | 제목 |
|---|---|
| 6 |
Fiber-GeS2-Fiber Structure OTS Device for Wearable ReRAM Devices Donghun Shim, Taeyoon Lee 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 5 |
Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM 서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 4 |
Complementary Resistive Switching Memory Devices with improved reliability via Self-Assembled Structure of Block Copolymer 김현진, 박종혁, 이근형 한국고분자학회 2019년 가을 학술대회 |
| 3 |
1-D nanowire-based complementary resistive switching behavior in polymer nanocomposite 김민성, 김영진, 방준하, 이상수 한국고분자학회 2017년 가을 학술대회 |
| 2 |
Arsenic Free Ovonic Threshold Switch (OTS) for Next Generation Memories Myoung-Su Seo, Sung Min Kim, Hye Ju Kim, Sang Woon Lee 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
| 1 |
Reactive metal effect on low-powered resistance switching behavior and reliability of HfOx based resistive switching memory 차익수, 주병권, 주현수 한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
