| 12 |
The development of SiO2 hole pattern fabrication using photoresist without etching for the selective area growth of GaN
안민주, 변동진, 심규연, 강성호, 김효종, 김화영
한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
| 11 |
MOCVD pulsed-mode growth of III-nitride nanorod arrays for optoelectronic applications
배시영
한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
| 10 |
The study of the GaN micro-rod selective area growth morphology depends on the buffer layer by MOCVD
안민주, 정우섭, 심규연, 강성호, 김효종, 변동진
한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
| 9 |
Wafer-scale and selective-area growth of high-quality hexagonal boron nitride on Ni(111) by metal-organic chemical vapor deposition
정호경, 김재원, 문석호, 김종규
한국공업화학회 2019년 봄 학술대회 |
| 8 |
GaN epitaxial growth using Ion implantaion process on Patterned Sapphire Substrate.
이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
| 7 |
Selective area growth of GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate
장정환, 이승민, 박용조, 윤의준
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
| 6 |
Effect of the Selective Ion-implantation for the GaN Growth on Patterned Sapphire Substrate
김대식, 배선호, 정서주, 정우섭, 진정근, 고형덕, 이재상, 변동진
한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
| 5 |
Introduction of SIO2 mask layer for Selective Area Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrate
배선호, 변동진, 김대식, 강병훈, 정서주, 이창민, 고형덕
한국재료학회 2014년 봄 학술대회 |
| 4 |
Ion-implantation for Selective Area Growth of GaN on Patterned Sapphire Substrate
김대식, 진정근, 고형덕, 이재상, 변동진
한국재료학회 2014년 봄 학술대회 |
| 3 |
A new attempt to Epitaxial lateral overgrowth of GaN
변동진
한국화학공학회 2010년 가을 학술대회 |
