| 번호 | 제목 |
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Comparison for Noise Performances of AlGaN/GaN HEMTs With and Without in situ Silicon Carbon Nitride (SiCN) Cap Layer 이유나, 최은경, 서재인, 최진석, 안성진 한국재료학회 2021년 봄 학술대회 |
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Theoretical screening of ALD precursors for surface reduction of TiO2: a density functional theory study 박정우, 엄효빈, 배우진, 송봉근 한국화학공학회 2020년 봄 학술대회 |
| 2 |
Effect of Al Composition on the Performances of AlGaN/GaN HEMTs 최여진, 최진석, 임기식, 안성진 한국재료학회 2020년 봄 학술대회 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD. 박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
