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번호	제목
21	금속촉매와 기상화학증착법을 이용한 SiCN 나노와이어의 성장\|Growth of SiCN nanowires grown by CVD using metal catalyst 노대호, 김재수, 변동진, 이재훈, 김나리, 안명원, 양재웅 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
20	Tetramethylsilane에 의한 SiC 박막의 특성평가\|Characteristics of SiC film using tetramethylsilane 김나리, 김재수, 노대호, 이재훈, 안명원, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
19	VLS(Vapor-Liquid-Solid)성장기구에 의한 SiC_xN_y 나노와이어 제조\|Fabrication of SiCxNy Nanowires by VLS growth mechanism 안명원, 김재수, 양재웅, 노대호, 김나리, 이재훈 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
18	탄소나노튜브를 이용한 SiC, SiCN 나노와이어의 성장\|Growth of SiC, SiCN nanowires using CNTs 노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 이재훈, 김나리 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
17	탄화규소 나노와이어의 성장에 미치는 금속촉매의 영향\|Effects of metal catalysts to SiC nanowire growth 노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 이재훈, 김나리 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
16	질소, 수소 가스가 이산화규소 나노와이어의 성장에 미치는 영향\|Ar and H₂ gas effects of SiO₂ nanowires growth 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 양재웅, 이재훈 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
15	GaN용 사파이어기판에 주입된 이온 변화에 대한 비교\|Comparison to change of implanted ions on sapphire substrates for GaN 진정근, 이재석, 노대호, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
14	다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과\|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth 이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
13	단일전구체를 이용한 SiC 박막의 성정과 특성평가\|Growth and Chracterization of SiC film using single precursors 김나리, 김재수, 변동진, 이재훈, 양재웅, 노대호, 진정근 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
12	SiCN 나노와이어의 성장과 특성평가\|Growth and Charateristics of SiCN nanowire 노대호, 김재수, 변동진, 이재훈, 양재웅, 김나리, 진정근 한국재료학회 2004년 가을 학술대회