화학공학소재연구정보센터
번호 제목
1 n형 실리콘 기판 기반으로 준비한 Bi3.25La0.75Ti3O12 강유전체 전계 트렌지스터의 기판 의존성 및 유전층 두께 축소에 관한 연구|Substrate dependence and scaling of insulator thickness for Bi3.25La0.75Ti3O12 incorporated ferroelectric-gated field effect transistors on n-type Si substrates
박재문, 고은정, 남광우, 박광서
한국재료학회 2004년 가을 학술대회