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번호	제목
33	BaO₂-TiO₂-TiH₂계를 이용한 BaTiO₃제조 및 유전특성평가\|BaTiO₃preparation using the BaO₂- TiO₂ -TiH₂system and dielectric characteristic 박영철, 원창환, H.H. Nersisyan 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
32	이온 빔 식각에 의한 나노구조 양자점 제조\|Nano-structured quantum dot formed by ion beam etching 김형석, 서주형, 박찬경 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
31	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
30	GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers 이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
29	TFA-MOD YBa₂Cu₃O_7-x 초전도체의 하소 조건에 따른 미세 조직 변화\|The microstructural variation of TFA-MOD YBa₂Cu₃O_7-x superconductor with different calcination conditions 정세영, 김영국, 고재웅, 유재무, 김철진 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
28	RuO₂ MOCVD를 위한 TiN막의 ECR plasma 전처리\|ECR plasma pretreatment of the TiN films for RuO₂ MOCVD 이종무, 김대교, 엄태종, 홍현석 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
27	이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성\|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
26	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN 이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
25	Tungsten Nitride Chemical Vapor Deposition for Cu Diffusion Barrier Using W(CO)₆ 이호기, 용기중 한국화학공학회 2003년 봄 학술대회
24	전자사이크로트론공명플라즈마 상온화학증착에 의해 제조된 Cu/C 박막특성 (특강)\|Characteristics of Cu/C films on polymer substrates prepared at room temperature by ECR-MOCVD 이중기\|Joong Kee Lee 한국화학공학회 2002년 가을 학술대회