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번호	제목
17	Sputter를 이용하여 상온에서 제작된 고유전 Ti_1-xSi_xO₂ 게이트 절연막 (Room temperature fabricated high-k Ti_1-xSi_xO₂ gate dielectrics prepared by sputtering) 김성연, 함문호, 오병윤, 명재민 한국재료학회 2006년 가을 학술대회
16	전처리에 따른 HfO₂MOS-Cap의 전기적 특성 평가 양대준, 김주연, 손영준, 김현철, 김영배, 최덕균 한국재료학회 2006년 봄 학술대회
15	RF magnetron sputter로 성장시킨 고유전 TiO₂:SiO₂ 박막의 특성(Properties of high-k TiO₂:SiO₂ films grown by RF magnetron sputter) 김성연, 오병윤, 함문호, 명재민 한국재료학회 2006년 봄 학술대회
14	HIGH FREQUENCY PERMEABILITY OF SOFT MAGNETIC CoFeHfO FILMS WITH HIGH RESISTIVITY L.V. Tho, K.E. Lee, S.H. Kim, C.G. Kim, C. O. Kim 한국재료학회 2006년 봄 학술대회
13	ZnO 나노와이어 소자에서의 HfO₂ 박막의 화학적 패시베이션 효과\|Chemical Surface Passivation of HfO₂ Films in the ZnO Nanowire Transistor 문태형, 정민창, 오병윤, 함문호, 명재민 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
12	HfO₂/SiO_xN_y/Si 게이트 구조의 열처리에 따른 열적 안정성과 전기적 특성\|Thermal Stability and Electrical Characteristics on Annealing of HfO₂/SiO_xN_y/Si Gate Dielectric Structure 최지훈, 김석훈, 강현석, 우상현, 홍형석, 전형탁 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
11	Al 조성 변화에 따라 원자층 증착법으로 성장된 Hf-Al mixed oxide 박막의 특성\|Characteristics of Hafnium-aluminum-oxide Thin Films Deposited by Using Atomic Layer Deposition with Various Aluminum Compositions 김석훈, 최지훈, 강현석, 우상현, 홍형석, 전형탁 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
10	다이렉트 플라즈마와 리모트 플라즈마 원자층 증착법으로 증착한 하프늄 산화막의 물리적, 전기적 특성에 관한 연구\|The Characteristics of HfO₂ Thin High-k Gate Oxide Deposited by Direct and Remote Plasma Atomic Layer Deposition Methods. 김인회, 국승우, 김석훈, 전형탁 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
9	원자층 증착법으로 HfO₂ 박막이 코팅된 ZnS 형광체 분말의 발광 특성 향상\|Improvement of Luminescent Properties of ZnS Phosphor Powder Coated HfO₂ Thin Films by Atomic Layer Deposition Method 김형수, 김혁종, 김민완, 김휴석, 김석환, 이상우, 최병호 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
8	MOMBE로 성장한 고유전 HfO₂ 박막의 화학적, 전기적 특성\|Properties of high-k HfO₂ films grown by MOMBE 문태형, 최지혁, 명재민 한국재료학회 2005년 봄 학술대회