화학공학소재연구정보센터
번호 제목
11 Various surface modifications of polymer by ion implantation
김보영
한국고분자학회 2006년 봄 학술대회
10 A Study of GaN Epilayers Grown on Patterned Ion Implanted Sapphire Substrate
Jaehong Choi, Seungdo Yang, Samseok Jang, Junggeun Jhin, Dongjin Byun
한국재료학회 2006년 가을 학술대회
9 이온주입법에 의한 WC-Co의 기계적성질 변화|Mechanical Modification of WC-Co by ion implantation
노용오, 한경훈, 이찬영, 이재상, 김계령
한국재료학회 2005년 가을 학술대회
8 Plasma Source Ion Implantation법을 이용한 금속 박막층과 Polyimide 계면 사이에 관한 연구|A study of Interfaces between Metal Layer Thickness Ion Implanted with Plasma Source Ion Implantation and Polyimide.
조본구, 이택영, 김용진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
7 고에너지 이온주입에 의한 전도성 polyaniline의 nanostructuring
서덕수, 주진수
한국고분자학회 2004년 봄 학술대회
6 다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth
이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관
한국재료학회 2004년 가을 학술대회
5 GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN
강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
4 GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers
이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
3 이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111)
강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
2 GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN
이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회