| 13 |
Al Atom Migration in LaAlO3 Thin Film during Thermal Treatment
엄다일, 황철성, 김형준
한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
| 12 |
Sputter를 이용하여 상온에서 제작된 고유전 Ti1-xSixO2 게이트 절연막 (Room temperature fabricated high-k Ti1-xSixO2 gate dielectrics prepared by sputtering)
김성연, 함문호, 오병윤, 명재민
한국재료학회 2006년 가을 학술대회 |
| 11 |
Prediction of Dynamic Heat Flux for 450mm Single Crystal Silicon Growth under CUSP Magnetic Field
Wan-Gam Song, Jin-Woo Jung, Joon-Hoi Kim, Gon-Sub Lee, Jea-Gun Park
한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
| 10 |
Ru/Ti bilayer metal electrode를 이용한 게이트 일함수 조절|Workfunction tunability of Ru-Ti bilayer structure for metal gate electrode
고한경, 이태호, 박인성, 김경래, 이상설, 안진호
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
| 9 |
게이트를 상정한 코발트니켈 복합 실리사이드의 물성과 미세구조|Property and Microstructure Evolution of the Cobalt Nickel Composite Silicides for Gate Application
김상엽, 송오성, 정영순
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
| 8 |
초크랄스키 실리콘 단결정 성장시 단결정 성장 시뮬레이션을 이용한 dynamic heat-flux 특성에 관한 연구|Dynamic Heat-Flow Characteristics in Czochralski Silicon-Ingot Growth by Numerical Simulation
박준원, 한인규, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
| 7 |
n-type 유기 반도체 화합물을 이용하여 제작한 수직형 유기발광트랜지스터의 특성
이지영, 오세용
한국고분자학회 2004년 봄 학술대회 |
| 6 |
고유전물질의 게이트 전극 활용을 위한 TaN, TaSiN의 일함수 및 열안정성|Workfunction and thermal stability of TaN, TaSiN for gate electrodes of high-k dielectrics
김광수, 김영배, 최덕균
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
| 5 |
Solid phase reaction을 통해 제조한 HfSiON 의 특성|Characterization of HfSiON as gate dielectrics fabricated by solid phase reaction
고한경, 이태호, 김철성, 안진호
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
| 4 |
CMOS 적용을 위하여 질소플라즈마 효과를 이용한 초박막 HfO2 게이트 유전체의 전기적, 신뢰성 특성 평가|Electrical and reliability characteristics of ultra-thin HfO2 gate dielectrics by N2 plasma treatment for CMOS application
김전호, 최규정, 윤순길, 이원재, 김진동
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
