| 번호 | 제목 |
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ECR플라즈마를 이용한 화학증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적특성|Electrical Characteristics of Silicon Oxide Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Method Using ECR Plasma 전법주, 허정수, 오인환*, 임태훈*, 윤용수, 정일현|Bup-Ju Jeon, Jung-Soo Heo, In-Hwan Oh*, TaeHoon Lim*, Yong-Soo Youn, Il-Hyun 한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
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실리콘의 Orientetion이 산소 플라즈마에 의해 제조된 실리콘 산화막의 전기적 특성에 미치는 영향|Effect of Silicon Orientation on the Electrical Properties of SiO2 Using Oxygen Plasma 허정수, 전법주, 오인환*, 임태훈*, 정일현|Jung-Soo Heo, Bup-Ju Jeon, In-Hwan Oh*, Tae Hoon Lim*and Il-Hyun Jung 한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
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TEOS/O3을 이용한 게이트 산화막의 저온 화학증착|Low-temperature chemical vapor deposition (CVD) for gate oxide from TEOS/O3 김효욱, 이시우|Hyo-Uk Kim, Shi-Woo Rhee 한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
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ECR 플라즈마를 이용한 화학증착법및 건식산화법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 전법주, 허정수, 오인환, 임태훈, 윤용수, 정일현 한국화학공학회 1996년 봄 학술대회 |
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ECR 산소 플라즈마를 사용한 실리콘 산화막의 제조 허정수, 전법주, 오인환, 임태훈, 윤용수, 정일현 한국화학공학회 1996년 봄 학술대회 |
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실리콘 표면의 자연산화막 성장 억제에서 Fluoride 의 역할 김창구, 정찬화, 문상흡 한국화학공학회 1995년 가을 학술대회 |
