화학공학소재연구정보센터
번호 제목
26 실리콘 표면 유기물과 산화막 제거를 위한 플라즈마 효과|Effect of plasma for the removal of organic and oxide layer on Si surface
소 현,김의열,조일래,전형탁,김영채|Hyun Soh,Ui Yeol Kim,Il Lea Cho,Hyeongtag Jeon,Young Chai Kim
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
25 SiO2와 Si 표면 위에서 원자 재결합|Atom Recombination on SiO2 and Si Surfaces
김의열,조성호,조일래,소현,김영채|Ui Yeul Kim,Sung-Ho Cho.Il-Rae Cho,Hyun Soh,Young Chai Kim
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회
24 TEOS/O2 플라즈마 반응기에서 실리카 미립자 성장분석|Analysis on Silica Particle Growth in TEOS/O2 Plasma Reactor
홍성택, 김동주, 김교선|Sung-Taik Hong, Dong-Joo Kim, Kyo-Seon Kim
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
23 리튬이온전지 음극용 MCMB 10-28 전극의 전처리 및 Cu첨가에 의한 표면특성|Surface characteristics for pretreatment and Cu addition of MCMB 10-28 as an anode material for Lithium Ion Battery
김동호, 이승익, 김태영, 정운호, 김명환, 전해수, 안동준|D.H. Kim, S.I. Lee, T.Y. Kim, U.H. Jung, M.H. Kim, H.S. Chun, D.J. Ahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
22 저유전체 SiCFO 박막의 PECVD 제조 및 특성|Properties of Low-k SiCFO Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
김태희, 한윤봉|Tae-Hee Kim, Yoon-Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
21 NF3/Ar ICP를 이용한 SiO2/PR의 선택적 식각|Selective Dry Etching of SiO2 over Photo-resist using NF3/Ar Inductively Coupled Plasma
박형조, 한윤봉|Hyung Jo Park, Yoon Bong Hahn
한국화학공학회 2002년 봄 학술대회
20 ULSI 배선을 위한 구리 무전해 도금 전처리 방법 최적화 연구|Optimized Surface Pre-treatments for Cu Electroless Plating in ULSI Device Interconnection
차승환,김재정|Seung Hwan Cha,Jae Jeong Kim
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
19 GaN-based 발광소자에서 식각 속도에 기인한 PECVD 산화막 증착 조건에 관한 연구|Effect of Deposition Condition of PECVD SiO2 on Etch Rate for GaN-based LED
최창선,김태희,홍주형,박형조,한윤봉|C. S. Choi,T. H. Kim,J. H. Hong,H. J. Park,Y. B. Hahn
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
18 열 필리멘트 다이아몬드 화학증착법에서 flashing의 효과|Flashing effect in the Hot Filament Diamond CVD Process
서형기|Hyung-Kee Seo
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
17 N2 및 O2 플라즈마를 이용한 SiO2 2단계 증착 공정|SiO2 two step deposition using N2 or O2 plasma treatment
이청, 이시우|Chung Yi, Shi-Woo Rhee
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회