화학공학소재연구정보센터
번호 제목
79 Epitaxial Growth of GaN with Air tunnel on patterned sapphire substrate by using buffer layer
조승희, 정우섭, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
78 Linearly Polarized Photoluminescence of Anisotropically Strained c-plane GaN Grown on Stripe-Shaped Cavity-Engineered Sapphire Substrate
김종명, 이승민, 양두영, 장정환, 이동현, 박용조, 윤의준
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
77 Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer  
정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
76 Formation of network air tunnel and its effect on reducing chemical attack through chemical lift off process
김철, 김대식, 정우섭, 조승희, 박준성, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
75 Growth of GaN on nanocrystalline γ-Al2O3 cavity patterned sapphire substrate
장정환, 최대한, 이승민, 금대명, 김종명, 박용조, 윤의준
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
74 Growth of single crystal ZnSnN2 films on a single crystal ZnO Buffer Layer
Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Jeong-kuk Lee, Soon-Ku Hong
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
73 Single crystal α-Ga2O3 epitaxial growth using hydride vapor phase epitaxy
박준성, 이대장, 노호균, 이수행, 문영부, 이상현, 하준석
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
72 Method of the high efficiency of reflection GaN layer for the lighting emitting diode structure including GaN/AlGaN films for the distributed bragg reflector.
안민주, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 변동진
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
71 Pt-Al₂O₃ meta nnanolayer for TPV cell emitter
김영석, 박보영, 박금환, 주병권
한국화학공학회 2017년 가을 학술대회
70 Selective area growth of GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate
장정환, 이승민, 박용조, 윤의준
한국재료학회 2017년 봄 학술대회