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Epitaxial Growth of GaN with Air tunnel on patterned sapphire substrate by using buffer layer 조승희, 정우섭, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Linearly Polarized Photoluminescence of Anisotropically Strained c-plane GaN Grown on Stripe-Shaped Cavity-Engineered Sapphire Substrate 김종명, 이승민, 양두영, 장정환, 이동현, 박용조, 윤의준 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer 정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Formation of network air tunnel and its effect on reducing chemical attack through chemical lift off process 김철, 김대식, 정우섭, 조승희, 박준성, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Growth of GaN on nanocrystalline γ-Al2O3 cavity patterned sapphire substrate 장정환, 최대한, 이승민, 금대명, 김종명, 박용조, 윤의준 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Growth of single crystal ZnSnN2 films on a single crystal ZnO Buffer Layer Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Jeong-kuk Lee, Soon-Ku Hong 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Single crystal α-Ga2O3 epitaxial growth using hydride vapor phase epitaxy 박준성, 이대장, 노호균, 이수행, 문영부, 이상현, 하준석 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Method of the high efficiency of reflection GaN layer for the lighting emitting diode structure including GaN/AlGaN films for the distributed bragg reflector. 안민주, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Pt-Al₂O₃ meta nnanolayer for TPV cell emitter 김영석, 박보영, 박금환, 주병권 한국화학공학회 2017년 가을 학술대회 |
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Selective area growth of GaN layer on partially crystallized alumina cavity pattern on sapphire substrate 장정환, 이승민, 박용조, 윤의준 한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |