화학공학소재연구정보센터(CHERIC) | 연구정보 | 문헌DB

번호	제목
5	Ru/Ti bilayer metal electrode를 이용한 게이트 일함수 조절\|Workfunction tunability of Ru-Ti bilayer structure for metal gate electrode 고한경, 이태호, 박인성, 김경래, 이상설, 안진호 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
4	고유전물질의 게이트 전극 활용을 위한 TaN, TaSiN의 일함수 및 열안정성\|Workfunction and thermal stability of TaN, TaSiN for gate electrodes of high-k dielectrics 김광수, 김영배, 최덕균 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
3	Solid phase reaction을 통해 제조한 HfSiON 의 특성\|Characterization of HfSiON as gate dielectrics fabricated by solid phase reaction 고한경, 이태호, 김철성, 안진호 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
2	CMOS 적용을 위하여 질소플라즈마 효과를 이용한 초박막 HfO₂게이트 유전체의 전기적, 신뢰성 특성 평가\|Electrical and reliability characteristics of ultra-thin HfO₂ gate dielectrics by N₂ plasma treatment for CMOS application 김전호, 최규정, 윤순길, 이원재, 김진동 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
1	고유전체 전극물질로서의 TaN 응용가능성 연구\|Research on applicability of TaN as an electrode material for high-k dielectrics 김영순, 이태호, 안진호 한국재료학회 2003년 가을 학술대회

번호	제목
5	Ru/Ti bilayer metal electrode를 이용한 게이트 일함수 조절\|Workfunction tunability of Ru-Ti bilayer structure for metal gate electrode 고한경, 이태호, 박인성, 김경래, 이상설, 안진호 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
4	고유전물질의 게이트 전극 활용을 위한 TaN, TaSiN의 일함수 및 열안정성\|Workfunction and thermal stability of TaN, TaSiN for gate electrodes of high-k dielectrics 김광수, 김영배, 최덕균 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
3	Solid phase reaction을 통해 제조한 HfSiON 의 특성\|Characterization of HfSiON as gate dielectrics fabricated by solid phase reaction 고한경, 이태호, 김철성, 안진호 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
2	CMOS 적용을 위하여 질소플라즈마 효과를 이용한 초박막 HfO₂게이트 유전체의 전기적, 신뢰성 특성 평가\|Electrical and reliability characteristics of ultra-thin HfO₂ gate dielectrics by N₂ plasma treatment for CMOS application 김전호, 최규정, 윤순길, 이원재, 김진동 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
1	고유전체 전극물질로서의 TaN 응용가능성 연구\|Research on applicability of TaN as an electrode material for high-k dielectrics 김영순, 이태호, 안진호 한국재료학회 2003년 가을 학술대회