| 번호 | 제목 |
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한국소재산업과 히든챔피온 윤의준 한국재료학회 2014년 봄 학술대회 |
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The Study of SiO2, Si3N4 passivation layers grown by PECVD for the indium antimonide photodetector 이재열, 김정섭, 양창재, 박세훈, 윤의준 한국재료학회 2009년 가을 학술대회 |
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Study of passivation layers for the indium antimonide photodetector 이재열, 김정섭, 양창재, 윤의준 한국재료학회 2009년 봄 학술대회 |
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Low-temperature epitaxial Ge layer growth on Si(100) substrate 신건욱, 김현우, 윤의준 한국재료학회 2007년 가을 학술대회 |
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산화막 형성과 열처리를 이용한 Si0.77 Ge0.23 박막의 격자 이완|Strain Relaxation of Si0.77 Ge 0.23on Si(100) by Oxide Capping and Thermal Annealing 김현우, 홍석원, 배덕규, 송석찬, 최석, 정승훈, 윤의준 한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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In-rich InGaN 에피층의 성장온도에 따른 광학적, 구조적 특성 변화|Structural and Optical Properties of In-rich InGaN epitaxial layers by MOCVD 신유리, 김희진, 나현석, 권순용, 김동혁, 이건훈, 윤정원, 정현식, 윤의준 한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
