번호 | 제목 |
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Optical Properties of InAs QDs with InGaAs/GaAs Strained Superlattices. 김종호, 박호진, 김도엽, 김민수, 김군식, 김진수, 김종수, 손정식, 류혁현, 조관식, 전민현, 임재영 한국재료학회 2007년 가을 학술대회 |
3 |
Growth Condition and Fabrication of Device for AlGaN/GaN Hetero-strucure by MOCVD Jaehong Choi, Hyunkyu Park, Jihye Kim, Jinwoo Jung, Dongjin Byun 한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
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MBE를 이용한 격자 부정합을 가지는 InxGa1-xAs/GaAs 이종 접합 구조의 성장과 특성 평가|Growth and characterization of InxGa1-xAs/GaAs lattice mismatched heterostructure by Molecular beam epitaxy 노경석, 황숙현, 김재규, 한덕선, 전민현 한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
1 |
산화막 형성과 열처리를 이용한 Si0.77 Ge0.23 박막의 격자 이완|Strain Relaxation of Si0.77 Ge 0.23on Si(100) by Oxide Capping and Thermal Annealing 김현우, 홍석원, 배덕규, 송석찬, 최석, 정승훈, 윤의준 한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |