화학공학소재연구정보센터
번호 제목
4 초크랄스키 실리콘 단결정 성장시 단결정 성장 시뮬레이션을 이용한 dynamic heat-flux 특성에 관한 연구|Dynamic Heat-Flow Characteristics in Czochralski Silicon-Ingot Growth by Numerical Simulation
박준원, 한인규, 이곤섭, 박재근
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
3 Transient Point Defect Behavior in Czochralski-Grown Silicon Single Crystals
왕종회, 임종인, 이경희
한국화학공학회 2004년 봄 학술대회
2 Dopant Segregation in Conventional Czochralski-Grown Silicon Single Crystals
왕종회, 임종인, 이경희
한국화학공학회 2004년 봄 학술대회
1 실리콘 초클랄스키 공정에서 점 결함 밀도에 대한 공정 변수의 영향 연구|Study of the effects of operating parameters on the densities of point defects in silicon single crystal in Czochralski process
김종선, 이태용|Jong-Seon Kim, Tae-Yong Lee
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회