화학공학소재연구정보센터(CHERIC) | 연구정보 | 문헌DB

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번호	제목
11	SiO2 나노와이어의 성장에 미치는 가스의 영향\|The effect of gas variations to the growth of SiO₂nanowire 노대호, 김재수, 변동진, 이재훈, 양재웅, 진정근, 김나리 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
10	금속촉매의 기상휘발법을 이용한 SiO_x 와 Si nanowire의 성장\|Growth of SiO_x and Si nanowires by Vapor evaporation method using metal catalyst 노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 진정근, 김나리 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
9	CNT-confined reaction 에 의한 탄화규소 나노튜브의 합성\|Synthesis of SiC Nanotube by CNT-confined Reaction 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 양재웅, 진정근 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
8	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
7	화학증착방법으로 성장시킨 탄화규소 나노와이어의 전기적 특성\|Eelectrical characteristics of SiC nanowires grown by CVD 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
6	기상증착방법에 의한 이산화규소 나노와이어의 성장\|Growth of SiO₂ nanowire by VS method. 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
5	SLS 성장방법에 의한 SiC 나노와이어의 성장\|Growth of SiC nanowires by SLS growth mechanism 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
4	기상증착법을 이용한 산화아연 나노로드의 성장\|Growth of ZnO nanorods by vapor-solid method 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 진정근, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
3	이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성\|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
2	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN 이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회

번호	제목
11	SiO2 나노와이어의 성장에 미치는 가스의 영향\|The effect of gas variations to the growth of SiO₂nanowire 노대호, 김재수, 변동진, 이재훈, 양재웅, 진정근, 김나리 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
10	금속촉매의 기상휘발법을 이용한 SiO_x 와 Si nanowire의 성장\|Growth of SiO_x and Si nanowires by Vapor evaporation method using metal catalyst 노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 진정근, 김나리 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
9	CNT-confined reaction 에 의한 탄화규소 나노튜브의 합성\|Synthesis of SiC Nanotube by CNT-confined Reaction 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 양재웅, 진정근 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
8	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
7	화학증착방법으로 성장시킨 탄화규소 나노와이어의 전기적 특성\|Eelectrical characteristics of SiC nanowires grown by CVD 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
6	기상증착방법에 의한 이산화규소 나노와이어의 성장\|Growth of SiO₂ nanowire by VS method. 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
5	SLS 성장방법에 의한 SiC 나노와이어의 성장\|Growth of SiC nanowires by SLS growth mechanism 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
4	기상증착법을 이용한 산화아연 나노로드의 성장\|Growth of ZnO nanorods by vapor-solid method 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 진정근, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
3	이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성\|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
2	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN 이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회