화학공학소재연구정보센터
번호 제목
13 SiC/Si 기판 위에 3C-SiC 결정 박막의 Homoepitaxy 성장 연구|Homoepitaxial Growth of 3C-SiC(100) thin film on SiC/Si Substrate
노재일,이경선,김광철,남기석|Jae Il Roh,Kyung Sun Lee,Kwang Chul Kim,Kee Suk Nahm
한국화학공학회 2001년 가을 학술대회
12 PEMOCVD법을 이용한 Si 기판 위에 증착된 ITO박막의 특성 변화에 관한 연구|The characterization of ITO thin film deposited on silicon using PEMOCVD method
박영철|Young-Chul Park
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
11 저온 원거리 플라즈마를 이용한 Si 기판의 유기오염물 제거|The Removal of Organic contaminants Using Low Temperature Remote Plasma on Si substrage
소현, 이기형, 서형탁, 전형탁, 김영채|Hyun Soh, Ki Hyung Lee, Hyungtack Seo, Hyeongtag Heon, Young Chai Kim
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
10 Sol-Gel법에 의한 TiO2 박막의 제조 및 특성연구|Characterization and Preparation of TiO2 Thin Film by the Sol-Gel Method
김길성, 황호수, 황상철, 김연수, 구엔티엔화, 신형식|Gil-Sung Kim, Ho-Soo Hwang, Sang-Chul Hwang, Yoen-Su Kim, Nguyen Tien Hoa, Hyung-Shik Shin
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회
9 Sol-Gel법을 이용한 TiO2 Sol 합성과 Si 기판 위에 코팅된 TiO2 박막의 친수 특성|Synthesis of TiO2 sol by sol-gel process and hydrophilic property of TiO2 thin film coating on Si
김사라, 조운조, 박재관, 이용철|S. R. Kim, W. J. Cho, J. G. Park, Y. C. Lee
한국화학공학회 2000년 가을 학술대회
8 Si 기판 위에 성장한 SiC 박막의 반응속도론적 연구|The Reaction Kinetics in the Growth of SiC Thin Film on Si
남기석, 김광철, 서영훈|Kee Suk Nahm, Kwang Chul Kim, Young Hun Seo
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
7 Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구|The Characterization of SiC(100) Grown on Si(100) Substrate
김광철, 박찬일, 노재일, 남기석|K. C. Kim1, C. I. Park, J. I Roh.K. S. Nahm
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회
6 MOCVD에 의한 RuO2 박막 성장에 관한 연구|A study on the Growth of RuO2 thin films by MOCVD
안재영, 조성민|Ahn, jae yung, S. M. Cho
한국화학공학회 1998년 가을 학술대회
5 질화처리된 실리콘 기판 위에 성장된 β-SiC(111)의 특성연구|The characterization of β-SiC(111) grown on nitrided silicon substrate
김광철, 심현욱, 남기석|K. C. Kim, H. W. Shim, K. S. Nahm
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회
4 LSMCVD 공정으로 제조한 BST 박막의 저온 결정화|Crystallization at Low Temperature of BST Thin Films Prepared by LSMCVD
박진, 정현진, 박승빈, 우성일|Jin Park, Hyun Jin Chung, Seung Bin Park, Seong Il Woo
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회