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Modification of barrier height of metal and silicon with nanoparticles and insulator
김현정, 장우출, 임희우, 권영균, 방민욱, 조해원, 정찬원, 전형탁
한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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Enhanced crystallinity of VO2 thin film by post annealing
김범식, 장우출, 정찬원, 조해원, 김현정, 임희우, 권영균, 전형탁
한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |
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3Characteristic of the contact resistivity of the metal/insulator/silicon structure
김현정, 장우출, 임희우, 권영균, 조해원, 정찬원, 전형탁
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
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The effect of plasma treatment during deposition process on remote plasma atomic layer deposited silicon nitride for charge trap layer
장우출, 김현정, 권영균, 신석윤, 임희우, 정찬원, 조해원, 전형탁
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
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Atomic Layer Deposited Gate Spacer for New Memory Devices
이재민, 장우출, 김현정, 권영균, 전형탁
한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
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Characteristics of ALD VO2 with H2O reactant
임희우, 신창희, 김현정, 장우출, 전형탁
한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
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9Remote plasma ALD of Silicon nitride at low temperature for gate spacer
김만석, 장우출, 김현정, 이재민, 이건영, 신창희, 권영균, 임희우, 전형탁
한국재료학회 2016년 가을 학술대회 |
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Characteristics of Si:ZrO2 deposited by ALD using CP-Zr
이건영, 장우출, 김현정, 임희우, 전형탁
한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
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Characteristics of silicon oxy-carbide deposited by RPALD using OMCTS
이재민, 장우출, 김현정, 권영균, 전형탁
한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
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Resistive Switching Characteristics of a Pt/TaOx/TiN devices
홍정협, 전형탁, 전희영, 박진규, 장우출, 김현정, 강춘호, 송효석, 김홍기
한국재료학회 2014년 가을 학술대회 |
