| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Wet etching 시 ultrasonic의 주파수가 실리콘 웨이퍼 표면형상에 미치는 영향 |
| 초록 | 전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 집적 칩이나 패키지를 적층하는 삼차원 직접화 기술 개발이 차세대 핵심기술로 중요시 되고 있다. 특히 모바일이나 테블릿 PC 시장에서는 칩의 소형화와 더불어 경량화된 제품들이 요구된다. 이와 같이 삼차원 직접화 기술의 연구개발에 따라 수십 ㎛ 이하의 초박막 실리콘 웨이퍼가 요구되고 있는 실정이다. wet etching은 반도체 실리콘 웨이퍼를 평면 연마하는 기술 중 하나이다. wet etching 기술은 화학적 반응으로 HF, HNO3를 기본으로 하여 Si-wafer의 두께를 감소, 평면 연마, grinding 시 발생한 응력 제거의 목적을 가진다. 따라서 wet etching를 이용하여 Si-wafer를 얇게 만드는 연구가 다양하게 진행되고 있다. wet etching은 etching 과정에서 용해된 반응물은 Si-wafer의 부정적인 영향을 미치며, 이 영향을 최소화하기 위해 ultrasonic에 관한 다양한 연구가 진행되고 있다. 따라서 본 연구는 Si-wafer wet etching 시 ultrasonic의 주파수에 따른 wafer 표면형상에 미치는 영향을 대해 실험적으로 연구하였으며, FE-SEM, AFM를 이용하여 관찰하였다. |
| 저자 | 김준우, 이현용, 강동수, 노재승 |
| 소속 | 금오공과대 |
| 키워드 | Si-wafer; wet etching; ultrasonic |
