| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 |
17권 1호 |
| 발표분야 |
F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 |
FLA로 결정화한 poly-si의 특성 연구 |
| 초록 |
이 논문은 OLED에 사용될 poly-si crystalliztion에 사용하는 flash lamp annealing 기술에 대한 연구이다. OLED는 자발광 디스플레이소자로 LCD를 대체할 차세대 디스플레이로 각광받고 있다. OLED에 a-si을 사용 할 경우 dangling bond 등의 localized state가 존재하여 charge carrier의 mobility가 떨어진다는 단점이 있다. 이에 a-si보다 mobility가 좋은 poly-si을 사용하려고 한다. poly-si crystallization에 대해서는 furnace 및 excimer laser 등의 다양한 연구가 있었으나, 본 연구에서는 유리기판에는 손상을 주지 않으면서 박막 증착된 a-si에만 결정화가 이루어지도록 하기 위하여 Xe arc lamp를 사용하였다. Xe arc lamp는 excimer laser보다 a-si에 대한 흡수도와 대면적에 균일도가 좋은 결정화 방법으로 알려져 있다. 온도, lamp power, lamp 위치를 변수로 한 이 실험은 UV slope, XRD, Raman, FESEM분석 등을 통해 박막의 결정성과 표면특성을 확인할 수 있었다. 이 연구는 고효율 OLED 연구를 위한 토대를 마련할 것이다. |
| 저자 |
이보람1, 김민경1, 김형준1, 김현수2, 김민규2
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| 소속 |
1홍익대, 2비아트론 |
| 키워드 |
flash lamp annealing; crystallization; OLED
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| E-Mail |
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