| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (10/15 ~ 10/16, 서울산업대학교 내 서울테크노파크) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료(포스터) |
| 제목 | 반도체 후공정 세정액 특성 연구 |
| 초록 | 반도체 후공정에서 구리와low-k dielectric재료의 채택은 소자의 critical dimension(CD) 축소와 더불어 나타나는 RC delay를 극복하기 위한 최선의 선택이다. Vias와 trenches를 형성하기 위해 damascene 구조를 채택하였다. Damascene 구조를 형성하는 과정에서 유전체 측벽에 구리 오염물과 via의 하부에 CuxOy 형태의 식각잔류물을 형성하게 된다. 세정용액은 구리를 산화시키지 않으며,구리산화물을 선택적으로 제거해야 한다. 본 연구에서는 식각잔류물 제거를 위해 세정용액의 특성을 평가하였다. 구리산화물의 용해도와 구리이온과의 complex 형성은 각각 ICP와 UV/Vis spec를 이용하여 측정하였으며, 구리 표면의 거칠기와 passivation의 형성은 AFM과 XPS를 이용하여 측정하였다. |
| 저자 | 고천광, 원동수, 김태경, 손향호, 이원규 |
| 소속 | 강원대 |
| 키워드 | Cu/low-k; BEOL; Copper oxide; solubility |
