| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 |
| 제목 | MoS2 crystallinity improvement by heat treatment |
| 초록 | 차세대 flexible device를 위하여 기존의 a-Si 보다 더 높은 전기적, 기계적 물성을 지닌 재료의 필요성이 대두되고 있다. 가장 먼저 연구 되어진 그래핀의 경우 2차원 구조로 된 재료로서 우수한 전기적 특성을 지니지만 bandgap을 갖지 않아서 전자소자로서 한계가 있다. 하지만 MoS2는 층수에 따라 다층에서 1.2eV, 단층에서 1.8eV 의 Bandgap을 지닌다. 또한 좋은 전자 이동도 와 높은 on/off ratio, 적은 subthreshold swing을 지니고 있어 차세대 저전력 flexible device로 활발히 연구 되고 있다. 본 연구에서는 Sputtering을 이용하여 MoSx를 증착한후 이 시편을 sulfur 분위기에서 다양한 온도조건에 따라 열처리 한후 이에 따른 MoS2 성장 및 결정성에 대해 연구하였다. 만들어진 시편은 Raman Spectroscopy, Atomic Force Microscopy (AFM), Optical Microscopy, Scanning Electron Microscope (SEM), Transmission Electron Microscope(TEM)을 이용하여 표면분석 및 MoS2 Layer에 대한 분석을 진행하였다. |
| 저자 | 이전국1, 전형탁2, 민형섭1, 오태경1 |
| 소속 | 1한국과학기술(연), 2한양대 신소재공학과 |
| 키워드 | MoS<SUB>2</SUB>; 2-D material; thin film |
