| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (04/23 ~ 04/25, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 1호, p.820 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Effect of F/C ratio in discharge gases on the angular dependence of etch rates of SiO2 |
| 초록 | 플라즈마 식각에 널리 사용되는 불화탄소 플라즈마는 반도체 소자 제조공정에서 SiO2 식각에 주로 사용된다. SiO2 식각공정에서 가장 중요한 요소 중 하나는 플라즈마의 chemistry 변화에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 파악하는 것이다. 그러나 플라즈마 내에서 입사이온의 각도를 조절하는 것이 매우 어렵기 때문에 SiO2 식각속도의 각도의존성을 분석하기가 어려운 것이 현실이다. 본 연구에서는 파라데이 상자를 이용하여 불화탄소 플라즈마에서 이온의 입사각도에 따른 SiO2 식각속도의 각도의존성을 파악하였다. 또한 플라즈마 chemistry 변화가 SiO2 식각속도에 미치는 영향을 알아보기 위해 CF4, C4F6, C4F8, CHF3, CH2F2 등 여러 F/C ratio의 가스를 사용하였다. SiO2의 식각 특성 및 식각 메카니즘은 SiO2 표면에 형성된 정상상태 불화탄소 박막 (steady-state fluorocarbon film)의 두께 및 F/C ratio 변화, 식각속도 변화를 바탕으로 제시하였다. |
| 저자 | 조성운, 김창구 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | F/C ratio; steady-state fluorocarbon film; plasma etching; angular dependence; etch yield |
| 원문파일 | 초록 보기 |
