| 초록 |
현재 반도체 금속 산화물의 화학센서에 대하여 다양한 연구가 진행 중에 있으며 이중 일부 실용화가 되어 여러 분야에서 이용되고 있다. 센서 물질 중에서 β-Ga2O3는 넓은 밴드 갭의 특성을 지닌 반도체 물질로서 밴드 갭(band gap) 에너지(Eg)가 상온에서 약 4.9 eV를 나타내며 600℃ 이상에서는 산소의 공백에 의해 n형 반도체 특성을 보인다. 그리고 발광의 특성을 가지기 때문에 가스 센서(gas sensor)뿐만 아니라 평판 디스플레이(flat-panel displays), 광 방출체(optical emitter for UV), 태양 에너지 전환 소자(solar energy conversion devices)와 같은 다양한 응용분야에 대하여 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 균일침전법과 수열합성법으로 β-Ga2O3 나노로드를 제조하였다. 합성용액의 수소이온농도 조절 및 고분자 계면활성제 첨가함에 따라 aspect ratio을 조절할 수 있었으며 XRD 및 PL측정으로 β-Ga2O3 나노로드를 특성화 하였다. 그리고 전자 상자기성 공명(EPR) 분광분석으로 센서로서의 가능성을 간접적으로 확인하였다. |
